Effect of Incidence Angle of Ions Caused by Inaccuracy of Stage Tilt Angle and Stage Rotation Angle on Sputter Depth Profiling Analysis
Journal of Surface Analysis2015Vol. 22(2), pp. 110–117
Abstract
AESにおいてスパッタ深さ方向分析を行う場合，試料表面に対するイオンの入射角度はその目的に応じて選択される．スパッタイオンを試料表面に対して低角度で入射すると深さ分解能を向上させることできる．イオンの低角度での入射を実現するためには傾斜試料ホルダーとサンプルステージの回転を用いる必要がある．ステージの傾斜角と回転角の誤差がイオン入射角に与える影響について検討し，いくつかのAES装置のイオン銃の配置の場合について計算した結果を報告する．
Related Papers
- → Oscillations and huge preferences of PbTe crystal surface sputtering under Secondary Neutral Mass Spectrometry conditions(2016)6 cited
- → Ion plasma sputtering of multi-component materials(1998)4 cited
- → Modelling of Reactive Sputtering Processes(2008)10 cited
- → Effects of radiation-induced segregation and preferential sputtering on the sputtering rate of alloys(1979)10 cited
- → Sputtering of Lunar Regolith by Solar Wind Protons and Heavy Ions, and General Aspects of Potential Sputtering(2014)